内存高管预计RAM短缺将持续至2028

驱动中国10月2日消息，据外媒报道，美光科技(Micron)与三星电子(Samsung)高管近日表示，全球内存供应紧张局面至少将持续到2028年。随着AI基础设施与数据中心需求快速扩张，高带宽内存(HBM)和动态随机存取存储器(DRAM)成为产能优先方向，消费级设备所用内存的供给空间被进一步压缩。

本轮内存短缺的核心变化在于需求结构。过去存储行业周期主要由PC、手机等终端拉动，而当前AI训练与推理集群对高带宽内存、大容量服务器内存形成持续吸纳。美光科技CEO 桑杰·梅赫罗特拉(Sanjay Mehrotra)在当地时间10月1日晚向投资者表示，未来一段时间内，公司内存产品的需求仍将超过可供应水平。这一判断意味着，即便行业产能扩张，短期内也难以完全匹配新增订单。

需要区分的是，美光目前已不再直接销售面向普通消费者的RAM产品。桑杰·梅赫罗特拉的表态主要针对企业级业务，包括用于AI加速平台的高带宽内存，以及服务器内存。不过，这类业务对晶圆、封装、测试与产线资源的占用，会间接影响消费级内存芯片的供给节奏。

三星电子高管本周同样表示，内存供应紧张不会在短期内缓解。两家公司作为全球主要存储芯片供应商，其产能安排与库存变化往往对行业供需预期具有风向标意义。高管们提到的“未来几年”与“至少持续到2028年”，指向的是AI与服务器需求对制造资源的长期挤占。

从供应链角度看，内存制造并非简单扩产即可立即释放产能。新建或升级产线需要设备交付、良率爬坡、客户认证与封装配套，尤其是高带宽内存还涉及先进封装与堆叠工艺。当产能向高利润、高优先级的AI与服务器订单倾斜时，面向PC、手机、消费电子等市场的内存分配自然会被压缩。

对终端市场而言，这意味着消费级设备可能面临更紧张的零部件供应环境。虽然报道未给出具体价格或型号变化，但内存作为整机成本的重要组成部分，供给偏紧通常会影响产品配置、交付周期和渠道库存。若短缺持续至2028年，厂商在整机规划中可能更早关注存储供应风险。

从行业周期看，存储芯片长期呈现“供给弹性滞后于需求波动”的特征。AI浪潮使这一特征被放大：数据中心资本开支周期长、订单规模大，而消费级市场则更容易受到产能挤压。美光与三星高管的表态，反映出当前内存市场尚未回到宽松状态。

整体来看，内存短缺将持续至少到2028年的判断，并非单一产品缺货，而是AI基础设施需求重塑存储供给结构的结果。未来行业关注点将集中在产能释放节奏、高带宽内存供应能力，以及服务器与消费级市场之间的资源分配。